收藏本站
NTD2955, NVD2955
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
25
20
T J = 25 ° C
V GS = -10 V
-9.5 V
-9 V
-8 V
-7 V
24
22
20
18
V DS ≥ ? 10 V
T J = - 55 ° C
25 ° C
125 ° C
16
15
-6.5 V
14
10
-6 V
-5.5 V
12
10
8
5
-5 V
6
4
2
0
0
1 2 3 4 5
6 7 8 9
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.50
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.250
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.45
V GS = ? 10 V
0.225
T J = 25 ° C
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
T J = 125 ° C
25 ° C
0.200
0.175
0.150
0.125
V GS = ? 10 V
- 15 V
0.15
0.10
0.05
- 55 ° C
0.100
0.075
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.050
0
3
6
9
12 15
18
21
24
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
- I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = ? 10 V
I D = ? 6 A
1000
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
100 ° C
0
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD3055-094G MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTD3055-150T4 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
NTD3055L104 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTD3055L170-001 MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
NTD30N02T4 MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
NTD32N06LT4G MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
NTD32N06T4G MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
NTD3808NT4G MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD2955T4 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD2955T4G 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD2955T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 12A D-PAK
NTD2955T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series P-Channel 60 V 155 mOhm 55 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252
NTD30 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD3055-094 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 12 Amps， 60 Volts
NTD3055-094-1 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube